2SC4691J

更新时间： 2024-10-25 21:55:19

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松下 - PANASONIC		/
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3页	75K
描述
For High-Speed Switching

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2SC4691J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	450 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4691J 数据手册

Transistors

2SC4691J

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-speed switching

+0.05

–0.03

Unit: mm

–0.01

1.60

+0.03

0.12

1.00 0.05

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

0.27 0.02

(0.50)(0.50)

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (E-B short) V_CES

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Symbol

Rating

Unit

1: Base

2: Emitter

3: Collector

100

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

°C

EIAJ: SC-89

SSMini3-F1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

125

Marking Symbol: 2Y

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CB= 40 V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4 V, I_C= 0

0.1

h_FE

V_CE= 1 V, I_C= 10 mA

200

0.25

1.0

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

V_BE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

0.17

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

450

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t_on

t_off

t_stg

Refer to the measurement circuit

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

No-rank

h_FE

60 to 120

90 to 200

60 to 200

Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.

Publication date: January 2003

SJC00282BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4691JQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
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