2SC4387

更新时间： 2024-11-24 06:26:35

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4387 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4385

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·Complement to type 2SA1670

APPLICATIONS

·Audio and general purpose

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

120

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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