2SC4388Y

更新时间： 2024-11-20 13:04:19

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

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2SC4388Y 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4388Y 数据手册

2 S C4 3 8 8

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1673)

Application : Audio and General Purpose

(Ta=25°C)

External Dimensions FM100(TO3PF)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB=200V

2SC4388

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Unit

µA

2SC4388

Unit

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

10max

180min

50min

200

IEBO

V^EB=6V

180

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=3A

I^C=5A, IB=0.5A

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

2.0max

20typ

MHz

85(Tc=25°C)

150

°C

1.75

0.8

COB

300typ

2.15

+0.2

Tstg

–55 to +150

h^FERank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

1.05

-0.1

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

IB1

(A)

IB2

(A)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

ton

(µs)

–5

1.8max

0.6max

–1

0.5max

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(V^CE=4V)

50mA

I^B=20mA

IC=10A

0.5

1.0

1.5

2.0

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

200

125˚C

100

Typ

25˚C

100

0.5

–30˚C

0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 15

0.1

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

100

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

3.5

–0.02

0.05

–0.1

–1

Emitter Current IE(A)

–10

100

200

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

102

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4389	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92VAR
2SC4390	SANYO	获取价格	High-hFE, AF Amp Applications
2SC4390	KEXIN	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC4390	TYSEMI	获取价格	Adoption of MBIT process. High DC current gain (hFE=800 to 3200).
2SC4391	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SC4391-HW	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4391R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SIP
2SC4391S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SIP
2SC4391-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4392	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, SC-70, 3 PIN, BIP RF Small Si

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