2SC4332-K-Z

更新时间： 2024-11-18 12:58:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	36K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN

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2SC4332-K-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
最大关闭时间（toff）：	1800 ns	最大开启时间（吨）：	300 ns
Base Number Matches：	1

2SC4332-K-Z 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTORS

2SC4332, 2SC4332-Z

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

developed for high-speed switching and features a very low

collector-to-emitter saturation voltage.

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Low collector saturation voltage

V^CE(sat)= 0.3 V MAX. (I^C= 3 A / I^B= 0.15 A)

• Fast switching speed:

t^f≤ 0.3 µs MAX. (I^C= 3 A)

• High DC current gain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Base to Emitter Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)

Base Current (DC)

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

100

7.0

5.0

Note1

I^C(pulse)

2.5

I^B(DC)

P^T(T^C= 25°C)

P^T(T^A= 25°C)

T^j

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

1.0^Note2, 2.0^Note3

150

T^stg

−55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

2. Printing borard mounted

3. 7.5 mm²x 0.7 mm, ceramic board mounted

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Fin (collector)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16430EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published October 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4

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与2SC4332-K-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4332-L	NEC	获取价格	暂无描述
2SC4332L-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251VAR
2SC4332-L-Z	RENESAS	获取价格	5000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN
2SC4332-M	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA,
2SC4332M-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251VAR
2SC4332M-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251VAR
2SC4332-M-Z	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA,
2SC4332-Z	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4332-Z	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Epitaxia
2SC4332-Z	TYSEMI	获取价格	Low collector saturation voltage. Fast switching speed. High DC current gain.

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