2SC4336M

更新时间： 2024-11-18 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	128K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, MP-45, 3 PIN

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2SC4336M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.41	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4336M 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4336

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The 2SC4336 is a mold power transistor developed for high-

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation. This transistor is ideal for use in switching power

supplies, DC/DC converters, motor drivers, solenoid drivers, and

other low-voltage power supply devices, as well as for high-current

switching.

4.7 MAX.

10.5 MAX.

0.ꢀ

3.0 MAX.

3.ꢀ 0.ꢀ

FEATURES

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

0.8 0.1

1.3 0.ꢀ 0.5 0.1

1.5 0.ꢀ

ꢀ.5 0.1

• Fast switching speed

• Low collector-to-emitter saturation voltage

V^CE(sat)≤ 0.3 V MAX. (IC = 6.0 A)

ꢀ.54 TYP.

1: Base

ꢀ: Collector

3: Emitter

ORDERING INFORMATION

ꢀ 3

PART NUMBER

PACKAGE

2SC4336

Isolated TO-220 (MP-45)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

I^B(DC)

100

7.0

Note

Collector current (pulse)

Base current (DC)

6.0

Total power dissipation (T^C= 25°C)

Total power dissipation (T^A= 25°C)

Junction temperature

°C

2.0

150

Storage temperature

T^stg

−55 to +150

Note PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D17261EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5

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与2SC4336M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4336-M	RENESAS	获取价格	10A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, MP-45, 3 PIN
2SC434	SHINDENGEN	获取价格	POWER TRANSISTOR
2SC4342	NEC	获取价格	Silicon Power Transistor
2SC4342-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4342-AZ
2SC4342K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-126
2SC4342-K	RENESAS	获取价格	3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
2SC4342-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
2SC4342L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-126
2SC4342-L	RENESAS	获取价格	3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
2SC4342-L-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN

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