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2SC4342L

更新时间： 2024-02-16 21:01:38

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TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-126

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2SC4342L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.42	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SC4342L 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4342

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

ORDERING INFORMATION

The 2SC4342 is a high-speed Darlington power transistor.

This transistor is ideal for high-precision control such as PWM

control for pulse motors or blushless motor of OA and FA equipment.

Part No.

Package

TO-126

2SC4342

FEATURES

• On-chip C-to-E reverse diode

• Fast switching speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Conditions

Ratings

150

100

8.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

V^CEO

V^EBO

3.0

I^C(DC)

PW ≤ 10 ms,

5.0

I^C(pulse)

duty cycle ≤ 50%

Base current (DC)

I^B(DC)

P^T

0.3

1.3

T^A= 25°C

T^C= 25°C

Total power dissipation

°C

Junction temperature

Storage temperature

T^j

150

−55 to +150

T^stg

INTERNAL EQUIVALENT CIRCUIT

1. Base

2. Collector

3. Emitter

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14862EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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与2SC4342L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4342-L	RENESAS	获取价格	3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
2SC4342-L-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
2SC4342M	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-126
2SC4342-M	RENESAS	获取价格	3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
2SC4342-M-AZ	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
2SC4346	NEC	获取价格	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING, HIGH VOLTAGE SWITCHING
2SC4346	RENESAS	获取价格	5000mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN
2SC4346K-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251
2SC4346M	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA
2SC4346M-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251

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