2SC4351

更新时间： 2024-11-17 22:39:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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DARLINGTON POWER TRANSISTOR

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2SC4351 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC4351 数据手册

DATA SHEET

DARLINGTON POWER TRANSISTOR

2SC4351

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SC4351 is a high-speed Darlington power transistor. This

transistor is ideal for high-precision control such as PWM control for

pulse motors or blushless motor of OA and FA equipment.

FEATURES

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• On-chip C to B constant voltage diode for surge voltage

absorption

• On-chip C to E reverse diode

• Fast switching speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

60 10

8.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

V^EBO

5.0

I^C(DC)

Electrode Connection

1. Base

I^C(pulse)*

I^B(DC)

0.5

2. Collector

3. Emitter

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15594EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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与2SC4351相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4351-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC4351K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186VAR
2SC4351-K	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4351-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC4351K-S5-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4351K-S5-AZ
2SC4351L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186VAR
2SC4351-L-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4351L-S5-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4351L-S5-AZ
2SC4351M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186VAR
2SC4351-M	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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