2SC4351-AZ

更新时间： 2024-11-18 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
6页	112K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4351-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC4351-AZ 数据手册

DATA SHEET

DARLINGTON POWER TRANSISTOR

2SC4351

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SC4351 is a high-speed Darlington power transistor. This

transistor is ideal for high-precision control such as PWM control for

pulse motors or blushless motor of OA and FA equipment.

FEATURES

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• On-chip C to B constant voltage diode for surge voltage

absorption

• On-chip C to E reverse diode

• Fast switching speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

60 10

8.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

V^EBO

5.0

I^C(DC)

Electrode Connection

1. Base

I^C(pulse)*

I^B(DC)

0.5

2. Collector

3. Emitter

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15594EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SC4351-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4351K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186VAR
2SC4351-K	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4351-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC4351K-S5-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4351K-S5-AZ
2SC4351L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186VAR
2SC4351-L-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4351L-S5-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4351L-S5-AZ
2SC4351M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186VAR
2SC4351-M	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4351-M-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

与2SC4351-AZ相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC4351-AZ

2SC4351-AZ 技术参数

2SC4351-AZ 数据手册

与2SC4351-AZ相关器件

与2SC4351-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC4351-AZ

2SC4351-AZ 技术参数

2SC4351-AZ 数据手册

与2SC4351-AZ相关器件

与2SC4351-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？