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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4355F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-225VAR |
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| 2SC4355G | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-225VAR |
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| 2SC4355T114 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/D | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/DG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/EF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/EG | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/F | ROHM |
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暂无描述 |
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