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2SC4332-ZL

更新时间： 2024-11-18 15:25:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 344K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP-3Z, 3 PIN

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2SC4332-ZL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.46外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHz最大关闭时间（toff）：1800 ns
最大开启时间（吨）：300 nsBase Number Matches：1

2SC4332-ZL 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON POWER TRANSISTOR  
2SC4332,4332-Z  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
FOR HIGH-SPEED SWITCHING  
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)  
The 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors developed  
for high-speed switching and feature a very low collector-to-emitter  
saturation voltage.  
2.3 0.2  
0.5 0.1  
6.5 0.2  
5.0 0.2  
4
This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC  
converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage power  
supply devices, as well as for high-current switching.  
1
2
3
FEATURES  
1.1 0.2  
• Low collector saturation voltage  
VCE(sat) = 0.3 V MAX. (IC = 3.0 A / IB = 0.15 A)  
• Fast switching speed:  
0.5 +−00..12  
0.5 +−00..21  
2.3 2.3  
tf ≤ 0.3 μs MAX. (IC = 3.0 A)  
• High DC current gain  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
TO-251 (MP-3)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Base to Emitter Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (pulse)  
Base Current (DC)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC(DC)  
100  
V
V
6.5 0.2  
5.0 0.2  
4.4 0.2  
60  
<R>  
2.3 0.2  
0.5 0.1  
7.0  
V
Note  
Note  
5.0  
A
4
Note1  
IC(pulse)  
10  
2.5  
A
IB(DC)  
PT (TC = 25°C)  
PT (TA = 25°C)  
Tj  
A
1
2 3  
Total Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
15  
W
W
°C  
°C  
0.5 0.1  
2.3 0.3  
1.0Note2, 2.0Note3  
0.5 0.1  
2.3 0.3  
0.15 0.15  
150  
ELECTRODE CONNECTION  
Tstg  
−55 to +150  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
Notes 1. PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%  
2. Printing board mounted  
TO-252 (MP-3Z)  
3. 7.5 cm2 x 0.7 mm, ceramic board mounted  
4. Collector Fin  
Note The depth of notch at the top of the fin is  
from 0 to 0.2 mm.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D16430EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published July 2006 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2002  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4332-ZL-E1 RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252VAR
2SC4332-ZM NEC

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 		暂无描述
2SC4336 NEC

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 		NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4336 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
2SC4336 JMNIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
2SC4336K NEC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plas
2SC4336K RENESAS

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 		10A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, MP-45, 3 PIN

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