2SC4332-Z

更新时间： 2024-11-17 22:52:43

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
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4页	36K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SC4332-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MP-3Z, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	最大关闭时间（toff）：	1800 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns

2SC4332-Z 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTORS

2SC4332, 2SC4332-Z

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

developed for high-speed switching and features a very low

collector-to-emitter saturation voltage.

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Low collector saturation voltage

V^CE(sat)= 0.3 V MAX. (I^C= 3 A / I^B= 0.15 A)

• Fast switching speed:

t^f≤ 0.3 µs MAX. (I^C= 3 A)

• High DC current gain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Base to Emitter Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)

Base Current (DC)

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

100

7.0

5.0

Note1

I^C(pulse)

2.5

I^B(DC)

P^T(T^C= 25°C)

P^T(T^A= 25°C)

T^j

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

1.0^Note2, 2.0^Note3

150

T^stg

−55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

2. Printing borard mounted

3. 7.5 mm²x 0.7 mm, ceramic board mounted

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Fin (collector)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16430EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published October 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4332-ZK-E2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252VAR
2SC4332-ZL	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP-3Z, 3
2SC4332-ZL-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252VAR
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