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2SC4093-T2R27

更新时间： 2024-11-18 19:51:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	63K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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2SC4093-T2R27 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.95 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4093-T2R27 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4093

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4093 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low

noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.

(Units: mm)

+0.2

−0.3

+0.2

−0.1

It has large dynamic range and good current characteritics, and is

contatined in a 4 pins mini-mold package which enables high-isolation

gain.

2.8

1.5

FEATURES

•

Low Noise

NF = 1.1 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

•

High Power Gains

S^21e²= 13 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

5°

ORDERING INFORMATION

PART

5°

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

2SC4093-T1 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to perforation side

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

of the tape.

3. Base

4. Emitter

2SC4093-T2 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.

Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face to perforation

side of the tape.

* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample.

Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4093)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

100

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

T^j

150

T^stg

65 to +150

Document No. P10365EJ3V1DS00 (3rd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1991

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4093-T2R28	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC4093-T2RBF	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC4093-T2RBG	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC4093-T2RBH	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC4094	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
2SC4094	RENESAS	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC4094(NE68139E)	ETC	获取价格	Discrete
2SC4094-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC4094R36	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 10V V(BR)CEO \| 65MA I(C) \| SOT-143RVAR
2SC4094-R36	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil

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