2SC3526H

更新时间： 2024-11-22 21:55:19

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管 ISM频段放大器
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For Display Video Output

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2SC3526H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	350 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3526H 数据手册

Transistors

2SC3526H

Silicon NPN epitaxial planar type

For display video output

Unit: mm

5.9 0.2

4.9 0.2

■ Features

• High transition frequency f_T

• Small collector output capacitance (Common base, input open cir-

cuited) C_ob

0.7 0.1

• Wide current range

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

110

Unit

+0.2

0.45

+0.2

–0.1

0.45

–0.1

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

(1.27)

Collector-emitter voltage

(Resistor between B and E)

V_CER

100

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

EIAJ: SC-51

TO-92L-A1 Package

2.54 0.15

3.5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

150

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

Min

110

100

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

I_C= 100 µA, I_E= 0

(Resistor

Collector-emitter voltage

between B and E)

V_CER

I_C= 500 µA, R_BE= 470 Ω

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

V_CEO

V_EBO

I_CEO

h_FE

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 100 µA, I_C= 0

V_CE= 35 V, I_B= 0

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

3.5

µA



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

0.5

f_T1

f_T2

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= −110 mA, f = 200 MHz

V_CB= 30 V, I_E= 0, f = 1 MHz

300

350

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: February 2003

SJC00133BED

12 3

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