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2SC3526H(2SC3526(H))

更新时间： 2024-11-25 23:20:15

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小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅

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2SC3526H(2SC3526(H)) 数据手册

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トランジスタ

2SC3526H

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

ディスプレイビデオ出力用

Unit : mm

5.9 0.2

4.9 0.2

■ 特ꢀ長

•

トランジション周波数f_Tが高い

コレクタ出力容量(入力開放時) C_obが小さい

広い電流領域

0.7 0.1

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

110

単位

+0.2

0.45

+0.2

–0.1

0.45

–0.1

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧 V_CER

(1.27)

100

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

EIAJ : SC-51

(B·E間に抵抗を接

続)

2 3

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

3.5

150

300

2.54 0.15

TO-92L-A1 Package

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

V_CBO

I_C= 100 µA, I_E= 0

110

100

コレクタ・エミッタ間電圧(B·E 間に V_CER

続)

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

I_C= 500 µA, R_BE= 470 Ω

抵抗を接

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 100 µA, I_C= 0

V_CE= 35 V, I_B= 0

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

流電流増幅率

V_EBO

I_CEO

h_FE

3.5

µA



直

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

0.5

f_T1

f_T2

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

300

350

MHz

V_CB= 10 V, I_E= −110 mA, f = 200 MHz

V_CB= 30 V, I_E= 0, f = 1 MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

C_ob

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

発行年月 : 2003年2月

SJC00133BJD

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC3527	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
2SC3528	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC3528	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3528	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type
2SC3537	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| RFMOD
2SC3538	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| RFMOD
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