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2SC3346

更新时间: 2024-11-22 21:55:35
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管PC
页数 文件大小 规格书
3页 133K
描述
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)

2SC3346 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2SC3346 数据手册

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