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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3354S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP |
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| 2SC3354T | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP |
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| 2SC3355 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC3355 | RENESAS |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION |
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| 2SC3355 | UTC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER |
|
| 2SC3355 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC3355 | CDIL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| 2SC3355 | FOSHAN |
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TO-92 |
|
| 2SC3355(NE85632) | ETC |
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Discrete |
|
| 2SC3355_11 | UTC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER |
|
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