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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 18 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 17 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 170 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 4.8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE368 | NTE |
功能相似  |
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 60W @ 512MHz |
|
| NTE367 | NTE |
功能相似 |
Silicon NPN Transistor RF Power Amplifier PO = 45W @ 512MHz |
|
| SD1434 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3103 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3104 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3105 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3110 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
|
| 2SC3110TMG | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC3112 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER AND SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SC3112 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| 2SC3112_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier and Switching Applications |
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| 2SC3112A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC3112-A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI |
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