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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3115-T2BD25 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC3115-T2BD26 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC3115-T2BD28 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC3116 | SANYO |
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160V/700mA Switching Applications |
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| 2SC3116R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3116S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3116T | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3117 | SANYO |
获取价格 |
160V/1.5A Switching Applications |
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| 2SC3117 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3117 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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