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2SC3117

更新时间： 2024-02-13 02:30:49

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	155K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3117 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3117 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3117

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SA1249

·High breakdown voltage

·Large current capacity

APPLICATIONS

·Color TV sound output;converters;

Inverters’ applications

·160V/1.5A switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

180

160

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

1.5

I_CM

Collector current-peak

2.5

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

1.0

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3117_15	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC3117_2014	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC3117R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SC3117S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SC3117T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SC3119	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| TO-236AA	获取价格