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2SC3110

更新时间： 2024-02-24 10:02:21

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	66K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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2SC3110 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3110 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC3110

DESCRIPTION

·Low Noise

·High Gain

·High Current-Gain Bandwidth Product

APPLICATIONS

·Designed for use in RF wide band low noise amplifier.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

2.5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CP

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.2

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

℃

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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