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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 配置： | Single |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 子类别： | Other Transistors |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3098 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (UHF~C BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3098 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3098 | TYSEMI |
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Low Noise Figure NF=2.5dB,|S21e|2=14.5dB(f=500MHz) |
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| 2SC3098TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
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| 2SC3099 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (VHF ~ UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3099 | TYSEMI |
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Low Noise Figure NF=1.7dB,|S21e|2=15dB(f=500MHz) |
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| 2SC3099 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3099(TE85L,F) | TOSHIBA |
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RF Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC3101 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3102 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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