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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5065 | TOSHIBA |
功能相似  |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3098TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
|
| 2SC3099 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (VHF ~ UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC3099 | TYSEMI |
获取价格 |
Low Noise Figure NF=1.7dB,|S21e|2=15dB(f=500MHz) |
|
| 2SC3099 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC3099(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2SC3101 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3102 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3102 | NJSEMI |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| 2SC3103 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3104 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
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