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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3099(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC3101 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3102 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3102 | NJSEMI |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| 2SC3103 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC3104 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3105 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3110 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC3110TMG | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3112 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER AND SWITCHING APPLICATIONS) |
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