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2SC2995O

更新时间: 2024-01-18 04:00:52
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其他 - ETC 晶体晶体管
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7页 327K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK

2SC2995O 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.3 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):350 MHz

2SC2995O 数据手册

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