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2SC2999

更新时间： 2024-11-19 14:54:51

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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6页	1009K
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双极型晶体管

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2SC2999 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	20
Collector Current - Continuous：	0.03	DC current gain - Min：	40
DC current gain - Max：	200	Transition frequency：	750
Package：	TO-92S	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

2SC2999 数据手册

2SC2999

TO-92S Transistor (NPN)

TO-92S

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

1 2 3

Features

High f_T(f_T=750MH_Ztyp) and small C_re(C_re=0.6pF typ)

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

℃

P_C

400

125

-40-125

T_J

Dimensions in inches and (millimeters)

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=100μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=10V, I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=3V,I_C=0

DC current gain

V_CE=6V, I_C=1mA

V_CE=6V, I_C=4mA

V_CB=6V, f=1MHz

V_CE=6V, I_C=1mA,,f=31.9MH_Z

200

Transition frequency

f_T

450

750

0.6

MHz

Reverse Transfer Capacitance

Base-to-Collector Time Constant

C_re

0.9

rbb’c_c

Noise figure

V_CE=6V, I_C=1mA,,f=100MH_Z

2.2

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

40-80

60-120

100-200

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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