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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.13 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最高频带： | HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 750 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3000 | SANYO |
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HF Amp Applications |
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| 2SC3000D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC3000E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC3000F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC3001 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3004 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
|
| 2SC3006 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC3007 | ETC |
获取价格 |
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
|
| 2SC3011 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (UHF~C BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3011 | TYSEMI |
获取价格 |
High Gain :|S21e|2=12dB(TYP.) Low Noise Figure: NF=2.3dB(Typ.) f=1GHz |
|
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