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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3004 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3006 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3007 | ETC |
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SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
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| 2SC3011 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (UHF~C BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3011 | TYSEMI |
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High Gain :|S21e|2=12dB(TYP.) Low Noise Figure: NF=2.3dB(Typ.) f=1GHz |
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| 2SC3011 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3011TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
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| 2SC3011TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
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| 2SC3012 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3012 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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