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2SC2983-O(2-7B1A)

更新时间： 2024-11-18 14:48:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	149K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2983-O(2-7B1A) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2983-O(2-7B1A) 数据手册

浏览型号2SC2983-O(2-7B1A)的Datasheet PDF文件第2页

2SC2983

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

2SC2983

Power Amplifier Applications

Unit: mm

Driver Stage Amplifier Applications

•

High transition frequency: f = 100 MHz (typ.)

Complementary to 2SA1225

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

160

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

1.5

Base current

0.3

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

Junction temperature

150

°C

JEDEC

JEITA

―

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-7B1A

Weight: 0.36 g (typ.)

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-7J1A

Weight: 0.36 g (typ.)

2005-02-01

12 3 4

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2SC2983-O-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
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