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2SC2983-Y-TP

更新时间： 2024-01-15 08:10:48
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 580K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC2983-Y-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SC2983-Y-TP 数据手册

 浏览型号2SC2983-Y-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2983-Y-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2983-Y-TP的Datasheet PDF文件第4页 
2SC2983-O  
2SC2983-Y  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
xꢀ Low Collector Saturation Voltage  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
xꢀ Execllent current-to-gain characteristics  
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
DPAK  
J
Maximum Ratings  
H
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
160  
V
1
2
3
C
I
O
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
160  
5.0  
1.5  
V
V
F
4
E
A
PC  
Collector power dissipation  
1.0  
W
M
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
к
к
V
K
TSTG  
-55 to +150  
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
G
V(BR)CBO  
Collector-base Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Emitter-base Breakdown Voltage  
(IE=1.0mAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=160Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=100mAdc, VCE=5.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=0.5Adc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(VCE=5Vdc, IC=500mAdc)  
Transition Frequency  
160  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
160  
5
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Q
A
---  
---  
1.0  
1.0  
uAdc  
uAdc  
L
IEBO  
D
B
PIN 1. BASE  
PIN 2.4 COLLECTOR  
PIN 3. EMITTER  
hFE(1)  
VCE(sat)  
VBE  
70  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
1.5  
1.0  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
DIMENSIONS  
---  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MIN  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
NOTE  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
fT  
100  
25  
(VCE=10Vdc, IC=100mAdc)  
Collector output capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0,f=1.0MHz)  
ꢀ
Cob  
---  
F
G
H
I
J
K
L
0.190  
0.114  
4.83  
2.90  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
6.20  
2.39  
10.40  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
0.055  
0.067  
1.40  
1.70  
Rank  
O
Y
M
0.063  
1.60  
1.10  
0.00  
5.35  
O
0.043  
0.051  
1.30  
Range  
70-140  
120-240  
Q
V
0.000  
0.012  
0.30  
0.211  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision:  
A
2013/07/04  
1234

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