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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2857E-AB | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC2857E-AQ | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC2857F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2857F-AA | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC2859 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC2859 | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC2859 | SECOS |
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NPN Plastic-Encapsulate Transistor |
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| 2SC2859 | HTSEMI |
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TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC2859 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC2859 | TYSEMI |
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Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA). |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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