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2SC2734

更新时间： 2024-02-29 01:45:09

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描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC2734 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.28
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	11 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2734 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon NPN Epitaxial

2SC2734

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

UHF frequency converter

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

IC = 10ìA , IE = 0

IC = 1mA , RBE =

IE = 10ìA , IC = 0

VCB = 10V, IC = 0

0.5

0.7

200

1.5

Collector to emitter saturation voltage

DC current gain

VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 5 mA

hFE

Cob

VCE = 10 V, IC = 5 mA

Collector output capacitance

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.9

VCC = 6 V, IC = 2 mA,f = 900 MHz,

fosc = 930 MHz (0dBm) ,f = 30 MHz

Conversion gain

Noise figure

VCC = 6 V, IC = 2 mA, f = 900 MHz,

fosc = 930 MHz (0dBm) , fout = 30 MHz

VCC = 6 V, IC = 5 mA, f = 930 MHz

VCE = 10 V, IC = 10 mA

Oscillating output voltage

Transition frequency

VOSC

140

3.5

1.4

GHz

Marking

www.kexin.com.cn

www.kesenes.com

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