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2SC2735

更新时间: 2024-11-02 06:25:59
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瑞萨 - RENESAS /
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8页 87K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SC2735 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.28最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1.5 pF集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1200 MHz
Base Number Matches:1

2SC2735 数据手册

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2SC2735  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0706-0200  
(Previous ADE-208-1075)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
UHF/VHF Local oscillator, frequency converter  
Outline  
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A  
(Package name: MPAK)  
1. Emitter  
2. Base  
3
3. Collector  
1
2
Note: Marking is “JC”.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
30  
20  
V
3
50  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7  

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