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2SC2735

更新时间： 2024-02-13 09:34:32

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永而佳 - WINNERJOIN		晶体晶体管
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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SC2735 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MPAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2735 数据手册

RoHS

2SC2735

SOT-23-3L

1. BASE

2SC2735 TRANSISTOR (NPN)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

0.15 W (Tamb=25℃)

2. 80¡ À0. 05

1. 60¡ À0. 05

Collector current

I_CM:

0.05

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN MAX

UNIT

V_(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

Ic=10µA, I_E=0

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Ic= 1mA, I_B=0

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E= 10µA, I_C=0

V_CB= 10V , I_E=0

0.5

µA

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 10mA

I_C=20mA, I_B= 4mA

DC current gain

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

_CE=10V, I_C= 10mA

600

MHz

f_T

C_ob

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

1.5

Collector output capacitance

V_CC=12V,I_c=2mA, f=200MHZ,

Noise figure

_osc= 230MHz

Marking

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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