2SC2585

更新时间： 2024-11-16 21:55:39

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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2SC2585 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.065 A
基于收集器的最大容量：	0.6 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2585 数据手册

2SC2585

NPN SILICON RF TRANSISTOR

PACKAGE STYLE

DESCRIPTION:

The 2SC2585 is a Common Emitter

Device Designed for Low Niose

Amplifier and Medium Power Oscillator

Applications up to 8.5 GHz.

MAXIMUM RATINGS

65 mA

12 V

I_C

V_CEO

V_CBO

V_EB

P_T

25 V

1.5 V

400 mW @ T_C= 166 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

85 ^OC/W

T_J

T_STG

θ_JC

DIMENSIONS IN MILLIMETERS

1 = BASE 3 = COLLECTOR

2 & 4 = EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^O

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_CB= 8.0 V

V_EB= 1.0 V

V_CE= 8.0 V

100

250

µA

---

I_EBO

h_FE

I_C= 7.0 mA

I_C= 20 mA

115

f_t

V_CE= 8.0 V

V_CB= 10 V

f = 1.0 GHz

f = 1.0 MHz

8.5

0.2

GHz

C_cb

0.6

V_CE= 8.0 V

I_C= 20 mA

f = 1.0 GHz

f = 2.0 GHz

f = 4.0 GHz

18.0

11.0

6.5

|S21E|²

10.0

G_NF

M_AG

V_CE= 8.0 V

I_C= 7.0 mA

I_C= 10 mA

f = 2.0 GHz

11.0

f = 2.0 GHz

f = 4.0 GHz

15.0

10.0

V_CE= 8.0 V

I_C= 7.0 mA

f = 2.0 GHz

2.0

2.5

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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