2SC2590

更新时间： 2024-11-17 22:52:39

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
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3页	80K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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2SC2590 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.77	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	65
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2590 数据手册

Power Transistors

2SC2590

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Unit: mm

3.2 0.2

+0.5

–0.1

8.0

φ 3.16 ^0.1

■ Features

• Excellent collector current I_Ccharacteristics of forward current

transfer ratio h_FE

• High transition frequency f_T

• TO-126B package which requires no insulation plate for installa-

tion to the heat sink

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

0.5 0.1

1.76 0.1

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

120

1: Emitter

2: Collector

3: Base

0.5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

TO-126B-A1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.0

1.2

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

Conditions

Min

120

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

I_C= 100 µA, I_B= 0

Emitter-base voltage (Collector open)

V_EBO

I_E= 10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10 V, I_C= 150 mA

V_CE= 5 V, I_C= 500 mA

220



100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

V_BE(sat)I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

1.0

1.2

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

90 to 155

130 to 220

Publication date: January 2003

SJD00100BED

12 3

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