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2SC2591_2014

更新时间： 2024-11-19 01:17:55

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2591_2014 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC2591 2SC2592

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SA1111/1112

·Good linearity of h_FE

·High V_CEO

APPLICATIONS

·For audio frequency, high power

amplifiers application

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

150

180

150

180

UNIT

2SC2591

2SC2592

2SC2591

2SC2592

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

P_C

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.5

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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