2SC2592

更新时间： 2024-11-18 06:17:23

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2592 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	2 V

2SC2592 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2591 2SC2592

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SA1111/1112

·Good linearity of h_FE

·High V_CEO

APPLICATIONS

·For audio frequency, high power

amplifiers application

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

150

180

150

180

UNIT

2SC2591

2SC2592

2SC2591

2SC2592

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.5

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC2592R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 180V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB
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