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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC1815BL-BP
2SC1815BL-BP PDF预览

2SC1815BL-BP

更新时间： 2024-01-25 21:34:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 378K
描述
150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC1815BL-BP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.66
JESD-609代码：e0峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

2SC1815BL-BP 数据手册

 浏览型号2SC1815BL-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC1815BL-BP的Datasheet PDF文件第3页 
2SC1815-O  
2SC1815-Y  
2SC1815-GR  
2SC1815-BL  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistor  
Amplifier and General Purpose Applications.  
Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 0.15A  
Collector-base Voltage 60V  
Marking : C1815  
•
•
•
•
x
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates RoHS  
A
E
Compliant. See ordering information)  
•
Operating and storage junction temperature range:-55oC to +125oC  
B
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
50  
60  
5
Vdc  
Vdc  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc,IC=0)  
Collector Cutoff Current  
Vdc  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=60Vdc, I =0Adc)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, I =0Adc)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
D
(VEB=5.0Vdc, I =0Adc)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
DC Current Gain*  
(I =2.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
70  
700  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
E
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
0.25  
Vdc  
C
C
B
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
1.0  
1.45  
Vdc  
Vdc  
C
DIMENSIONS  
Base-Emitter Voltage  
(I =310mAdc)  
E
---  
80  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(I =1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
MHz  
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
O
70-140  
Y
GR  
200-400  
BL  
350-700  
120-240  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2011/08/22  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC1815-BL-BP-HF MCC Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC1815-BL-T92-A-B UTC Transistor,

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