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2SC1815-BP PDF预览

2SC1815-BP

更新时间： 2024-01-11 18:07:32
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 321K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC1815-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SC1815-BP 数据手册

 浏览型号2SC1815-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SC1815  
Micro Commercial Components  
Features  
·
2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistor  
Amplifier and General Purpose Applications.  
Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 0.15A  
Collector-base Voltage 60V  
Marking : C1815  
·
·
·
·
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
TO-92  
A
E
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
VBEF  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
50  
60  
Vdc  
Vdc  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
C
C
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Emitter-Base Voltage  
1.45  
Vdc  
(I =310mAdc)  
E
ICBO  
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=60Vdc, I =0Adc)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, I =0Adc)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
D
(VEB=5.0Vdc, I =0Adc)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
DC Current Gain*  
(I =2.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
70  
700  
C
E
C
B
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
0.25  
Vdc  
C
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
1.0  
1.45  
Vdc  
Vdc  
C
DIMENSIONS  
Base-Emitter Voltage  
(I =310mAdc)  
E
---  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(I =1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
80  
MHz  
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
O
70-140  
Y
GR  
200-400  
BL  
350-700  
120-240  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 4  
2006/05/16  
12

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