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2SC1815-GR-AP-HF

更新时间： 2024-11-20 12:58:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	378K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC1815-GR-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SC1815-GR-AP-HF 数据手册

2SC1815-O

2SC1815-Y

2SC1815-GR

2SC1815-BL

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF

NPN Silicon

Epitaxial Transistor

Amplifier and General Purpose Applications.

Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.

Collector-current 0.15A

Collector-base Voltage 60V

Marking : C1815

•

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-92

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates RoHS

Compliant. See ordering information)

•

Operating and storage junction temperature range:-55^oC to +125^oC

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

Vdc

(I =0.1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I =100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc,I_C=0)

Collector Cutoff Current

Vdc

0.1

uAdc

(V_CB=60Vdc, I =0Adc)

I_CEO

Collector Cutoff Current

(V_CB=50Vdc, I =0Adc)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I =0Adc)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

DC Current Gain*

(I =2.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

700

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I_B=10mAdc)

0.25

Vdc

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I_B=10mAdc)

1.0

1.45

Vdc

DIMENSIONS

Base-Emitter Voltage

(I =310mAdc)

---

INCHES

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.010

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

(I =1.0mAdc, V_CE=10Vdc, f=30MHz)

MHz

CLASSIFICATION OF HFE (1)

Rank

Range

70-140

200-400

350-700

120-240

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: C

2011/08/22

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC1815-GR-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC1815-GR-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC1815-GRF	TOSHIBA	获取价格	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
2SC1815-GR-T92-A-K	UTC	获取价格	Transistor,
2SC1815-GR-T92-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC1815-GR-T92-B-B	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
2SC1815-GR-T92-B-K	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
2SC1815-GR-T92-C-B	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
2SC1815-GR-T92-C-K	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
2SC1815-GR-T92-E-B	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR

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