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2SC1079_2014

更新时间： 2024-09-22 01:17:31

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1079_2014 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC1079 2SC1080

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2SA679/680

·High power dissipation

APPLICATIONS

·For audio power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

120

UNIT

2SC1079

2SC1080

2SC1079

2SC1080

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

120

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_E

Emitter current

-12

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

150

T_stg

-65~150

12 3

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