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2SC1096

更新时间： 2024-09-21 07:30:23

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	44K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1096 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC1096

DESCRIPTION

·With TO-202 package

·Low breakdown voltage

·High current

·High f_T

APPLICATIONS

·For audio frequency power amplifier

and low speed switching applications

·Suitable for output stages of 3 to 5 watts

car radio sets and car stereo

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_CM

I_B

Collector current-peak

Base current

0.6

T_a=25℃

T_C=25℃

1.2

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

JMnic

12 3

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