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2SC1106_2014

更新时间： 2024-02-25 12:14:19

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1106_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1106

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High power dissipation

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For voltage regulator ,inverter and switching

mode power supply applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

350

250

UNIT

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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