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2SC1162

更新时间： 2024-02-18 23:17:57

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	142K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1162 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Base Number Matches：	1

2SC1162 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1162

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SA715

APPLICATIONS

·For low frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

2.5

I_CM

T_a=25℃

T_C=25℃

0.75

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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