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2SC1108

更新时间： 2024-01-26 20:28:37

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1108 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1108

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage :V_CEO=100V

·High current :4A

APPLICATIONS

·For power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25?)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

UNIT

Open base

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25?

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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