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2SC1156

更新时间： 2024-01-16 23:50:06

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1156 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1156

DESCRIPTION

·With TO-202 package

·High transition frequency

·Complement to type 2SA646

APPLICATIONS

·For power amplifier switching

applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

0.8

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

-40~150

T_stg

12 3

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