2SC1163

更新时间： 2024-01-22 04:48:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1163 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC1163 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1163

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Useful for high-voltage general purpose

applications

·Suitable for transformerless ,line-operated

equipment

PINNING (see Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

300

UNIT

Open emitter

Open base

300

Open collector

0.1

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

20.8

150

℃

T_j

T_stg

-65~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

6.25

℃/W

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC1164O	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR Si, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-33, BIP RF Small Signal
2SC1165	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500MA I(C) \| TO-39
2SC1166	ETC	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC1169	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC1170	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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