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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB963-Z-T2K | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
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| 2SB963-Z-T2L | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
|
| 2SB965 | NEC |
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PNP Silicon Epitaxial/NPN Triple Diffused Transistor Audio Frequency Power Amplifier |
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| 2SB965 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB965 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB965P | ISC |
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Transistor |
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| 2SB965Q | ISC |
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Transistor |
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| 2SB965R | ISC |
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Transistor |
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| 2SB966 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB966 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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