2SB965Q

更新时间： 2024-01-16 11:49:20

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Transistor

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2SB965Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB965Q 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB965

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Complement to type 2SD1288

APPLICATIONS

·For use in low frequency and

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

-7

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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2SB967	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB967	TYSEMI	获取价格	Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board.
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