2SB941A

更新时间： 2024-11-24 22:49:27

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管
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2页	50K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)

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2SB941A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB941A 数据手册

Power Transistors

2SB941, 2SB941A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1266 and 2SD1266A

Unit: mm

Features

■

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

2.7±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.3±0.2

Collector to

2SB941

2SB941A

2SB941

–60

1.4±0.1

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB941A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

2.54±0.25

V_EBO

I_CP

–5

5.08±0.5

–5

I_C

–3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–200

–300

–1

Unit

2SB941

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

2SB941A

2SB941

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

2SB941A

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB941

voltage 2SB941A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–1.8

–1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –3A, I_B= – 0.375A

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

0.5

1.2

0.3

MHz

µs

I_C= –1A, I_B1= – 0.1A, I_B2= 0.1A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE1= 70 to 250) in the

rank classification.

70 to 150

120 to 250

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB941AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB941APQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB941AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB941AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB941P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
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